天津大学硕士学位论文碳化硅单晶抛光片加工技术研究姓名：李宝珠申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：李玲霞;张志刚20081201中文摘要随着现代科技的发展，谁首先控制新一代材料，必然会控制新一代器件，必然会走在科技发展的前列。
本发明涉及半导体制造的技术领域，尤其涉及一种碳化硅基晶圆的加工方法。背景技术传统的碳化硅基晶圆划片方式包括金刚石砂轮切割，但是由于砂轮切割是机械式，刀片存在一定的厚度，切割时对材料有一定耗损，需求较宽切割道。为了能在狭小切割道上切割时有更好的表现，引入了激光隐形...
第35卷第5期硅酸盐通报Vol．35No．52016年5月BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIETYMay，2016硅片切割废砂浆的资源化利用现状侯思懿，铁生年（青海大学新能源光伏产业研究中心，西宁…
对于切割用砂D50分布越集中越好，形状越不规则越好，堆积密度越小越好。如果砂子足够尖锐，切割能力强，那么相对切割时的线弓也很小，垂直压力也小，这样硅片的损伤层也相对较小。专题：论文编号：参考文献[1]李彦林。
碳化硅材料具有优良的热力学和电化学性能。在热力学方面，碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是最硬的物质之一，可以用于切割红宝石；导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化。
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
l切割表面无沾污，不产生碎片、损伤，截面陡直、无倾斜，零切割线宽；l非接触式切割，使用寿命长。3.3半导体改质切割工艺方案大族激光全自动晶圆激光切割机为客户提供一整套晶圆（Si或SiC）切割工艺方案。
多晶硅片切片工艺介绍.ppt,切割原理切片的原理及过程：利用切割钢丝带动砂浆，利用砂浆中SiC微粒与晶棒进行摩擦，达到切割的目的。并不是钢丝切割晶棒，钢丝的摩尔硬度为5.5左右，单晶硅的摩尔硬度为6.5左右，而SiC的摩尔硬度为9.25-9.5左右，因此钢丝是切割不了晶棒的，这也是解释当砂浆流量...
很多朋友都说自己搞不定论文摘要，觉得论文摘要实在太难了。那么今天就来给大家讲讲论文摘要，有兴趣的朋友，可以继续往下看哦~一、论文摘要1.摘要字数在写论文摘要的时候，字数不需要太多，大家要把握一个原则：精简，能一句话讲完的事，大家不要用2句或3句来讲述，这样不仅占字数...
碳化硅基材表面涂层方法综述,碳化硅涂层,碳化硅涂层石墨基座,表面涂层,金属表面涂层,表面涂层技术,碳化硅,碳化硅晶片,碳化硅出口许可证,碳化硅陶瓷碳化硅基材表面涂层方法综述张立学（西安交通大学先进陶瓷研究所，西安710049）碳化硅基陶瓷是应用于高温工作环境下的理想材料，但其高温...