二极管芯片镀镍工艺研究论文

2.镀镍后的芯片,晶粒受酸汽腐蚀,存放过久,镍层轻度氧化. 改善措施:1.镀镍完成后,禁止存放在酸汽严重的区域. 2.密封保存. ※※标记为蓝色部份请制造部加强管制,有异常立即通知

然后,将硅片置于电解槽底,硅片的p面朝上并接触所述钼丝;电解反应开始,电解工艺不施加任何外力,保证了低应力工艺;电解后硅片表面较为光滑,需用压力进行弱吹

高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用的半导体材料与普通单色发光二极管不同,所以发光的强度也不同。通常,高亮度单色发光二极管使用砷铝化镓(Ga

本发明涉及一种快恢复二极管FRD芯片及其制作工艺,其工艺具有如下步骤:扩散前处理、硼源预沉积、硼源主扩散、扩散后处理、单面背磨减薄、氧化前处理、氧化、光刻、去单面氧化

2.随着半导体技术的发展,对半导体表面钝化的要求越来越高,二极管芯片钝化的方法有很多,采用玻璃粉作为钝化材料是目前的主流方式即为gpp二极管芯片。现有技术中

本文重点介绍医用刀片刮涂法制作玱璃钝化二极管芯片工艺。这种方法是将丁基卡必醇乙酸乙酯呾醋酸纤维按一定比例(一般为2%,具体可视膜厚要求定)配制粘合剂,然后加入玱璃粉配制

刮涂法制作GPP二极管芯片工艺技术随着半导体技术的发展对半导体表面钝化的要求越来越高作为二极管一种钝化材料无疑应具备一是良好的电气性能和可靠性包括电阻率

摘要:近年来,对于市场上使用一种可靠性较高的玻璃钝化(GPP)硅二极管的呼声越来越高,并得到电子行业内人士的普遍认可。这种GPP芯片是在硅扩散片金属化之前(玻璃

一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺,所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线,上引线的底